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DRAM发明者Robert Dennard获得2019年诺伊斯奖

2019-08-02来源: EEWORLD关键字:DRAM  诺伊斯奖

诺伊斯奖是由SIA(半导体行业协会)颁发的半导体行业最高荣誉奖,为了纪念集成电路发明者,同时也是仙童半导体和英特尔的联合创始人,半导体行业先驱Robert N. Noyce而设立的奖项,以表彰为半导体行业在技术或公共政策方面做出杰出贡献的领导者。

不久前,SIA官方发布消息,表示DRAM发明者、缩放物理学奠基人Robert Dennard,被评为2019年SIA最高荣誉Robert N.诺伊斯奖。


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“Dennard博世发明的DRAM支持现代社会无处不在的计算机,智能手机,平板电脑和其他电子设备。“ SIA总裁兼首席执行官John Neuffer说。“Dennard还率先推出了缩放物理学,这使得半导体行业能够以更低的成本生产出更高级的产品,Dennard的贡献彻底改变了我们的行业。“

Dennard于1966年发明了动态随机存取存储器(DRAM)单元,他于1968年获得了单晶体管DRAM的专利。到了20世纪70年代中期,DRAM几乎成为所有计算机的标准配置。

Dennard还领导了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)缩放规则的开发。他和他的同事是最早认识到缩小MOSFET尺寸的巨大潜力的人之一,随着晶体管、导线和电路电压变小,集成电路的能耗将大大降低。这个属性是摩尔定律和几十年来微电子技术发展的基础。

在他的职业生涯中,Dennard的工作已经获得了75项专利,100多篇已发表的论文和众多奖项,包括京都奖(2013年),卡内基梅隆大学荣誉科学技术博士(2010年),IEEE荣誉勋章( 2009),IEEE Edison Medal(2001)和国家工程院Charles Stark Draper奖(2009)。他于1997年入选国家发明家名人堂,并于2005年获得Lemelson-MIT终身成就奖。

Dennard在达拉斯南方卫理公会大学获得电气工程硕士学位,并从卡内基理工学院(现为CMU)获得博士学位,之后加入IBM研究院,他于1979年被任命为IBM院士。

Dennard说:“我很荣幸有机会并与其他真正的传奇人物和行业杰出人士共获此殊荣。尽管我的职业生涯一直令人欣慰,但我最为自豪的是与共同推动半导体技术的人们建立了合作关系。我很荣幸地与这些朋友,同事和导师一起接受这个奖项,并期待看到我们这个行业的伟大未来。“


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关键字:DRAM  诺伊斯奖

编辑:冀凯 引用地址:http://news.1900222.com/manufacture/ic469869.html
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