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技术文章—ESD保护装置·对策元件基础知识

2019-08-30来源: 村田中文技术社区关键字:ESD  陶瓷基体

下面对村田的陶瓷基体、半导体基体、各种ESD(静电放电·浪涌)保护装置·对策元件的构造和原理进行说明。

 

陶瓷基体

 

村田提供的陶瓷基体ESD保护装置使用被称为「电极间放电方式」的机理。这个产品的内部电极是反向构造,通常是绝缘状态,施加高电压时,内部电极间产生放电,电流流入地下。产品的特性受内部电极间的距离和材料等控制。与电压可变阻抗方式的抑制型相比,端子间静电容量小,具有优良的循环耐性,主要用于智能手机的天线和高速数据通信线。

 

 

导体基体

 

半导体基体的ESD保护装置使用被称为齐纳二极管方式的机理。二极管是P型半导体(电子不足的状态)和N型半导体(电子有余量的状态)的结合物。

 

 

二极管在P型半导体侧连接正极(正向偏压),电子受正极吸引,通孔受负极吸引,因此电流流入。另一方面,在N型半导体侧连接正极(反向偏压),电子受正极吸引,通孔受负极吸引,P型半导体和N型半导体之间产生空隙层,电流无法流入。

 

 

但是,施加更高的反向偏压时,在空隙层共同结合的电子被切断,与其他电子的冲突不断循环,电流突然流入。将这个突然流入的电流产生的电压称为击穿电压。

 

 

硅材料的ESD保护装置利用了这个二极管的技术,施加大于击穿电压的过电压(ESD),电流流入地下。与陶瓷基体的产品相比,端子间的容量变大,具有更好地ESD保护性能。

 

 

 

 

关键字:ESD  陶瓷基体

编辑:muyan 引用地址:http://news.1900222.com/manufacture/ic472967.html
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